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SI4874BDY-T1-E3中文资料

SI4874BDY-T1-E3图片

SI4874BDY-T1-E3外观图

  • 大小:92.7KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:16000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0085ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:1.6W ;RoHS Compliant: Yes
  • 数据列表:SI4874BDY
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7 毫欧 @ 16A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:25nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:3230pF @ 15V
  • 功率 - 最大:1.6W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI4874BDY-T1-E3TR

SI4874BDY-T1-E3供应商

更新时间:2023-02-10 13:39:00
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • SI4874BDY-T1-E3

    SI4874BDY-T1-E3
  • 1096

  • VISHAY/威世

  • SOP8/1547+

  • 深圳原装进口现货假一罚十

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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